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       電力電子技術的發(fā)展對電能質量的要求越來越高，而電力電子設備的增加卻又導致電能質量日益惡化，造成諧波，電壓波動，三相不平衡等電網(wǎng)污染，尤其是近年來，由于電網(wǎng)容量的增加，對電網(wǎng)需求也與目俱增。為充分利用設備的容量，以自愈式低電壓并聯(lián)電容器為主要元件，接觸器或晶閘管模塊為投切開關的低壓電容無功補償裝置得到廣泛的應用。這些裝置一般是將電容器分為若干組，根據(jù)控制物理量的變化，進行電容器的投切。

       但是，若無功負荷經(jīng)常波動變化，而裝置又需要將cosφ控制在較高水平時，電容器的投切，往往就比較頻繁，從而可能給電容器造成危害，使其早期損壞。以接觸器為投切開關的低壓電容無功補償裝置，不宜頻繁進行電容器的投切。否則，投切時所產(chǎn)生的過電壓和沖擊電流將對自愈式電容器造成危害，使容量下降，以及絕緣老化加速等，最終使電容器早期損壞。但是晶閘管開關可以解決這個問題。所以正確選用低壓無功補償電容投切裝置對于保證低壓無功補償設備的可靠性、經(jīng)濟性及補償效果有著十分重要的意義。

       希拓電氣晶閘管投切模塊(單相)技術源自德國，我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。